 财联社报道称，中信建投认为，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。 中信建投将SiC器件发展分为三个发展阶段:2019-2021年为初期；2022-2023年为拐点期；2024-2026年为爆发期。 中信建投认为，SiC随着在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域展开，需求迎来爆发增长，其中，新能源汽车是SiC器件应用增长最快的市场，预计2022-2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元。 尤为值得一提的是，本土企业在车用SiC领域已经取得了一定的突破。去年12月，在首届集微汽车半导体生态峰会上，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳也表示，芯聚能SiC模块将用于主逆变器，且已通过国内前三大主机厂车载可靠性测试、夏季标定和耐久测试，系统环境耐久试验考核，预计2022年Q1量产。 郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。 |
